功能描述：MOSFET N-CH DPAK

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

零件状态：最後搶購

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：670pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：104W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 2.5A，10V

工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

AOD5N50STK830D

AOD5T40P

AOD603

AOD603A

AOD604

AOD604.

AOD606

AOD607

AOD607L

AOD608